М. Г. Мынбаева, А. И. Печников, А. А. Ситникова, Д. А. Кириленко, А. А. Лаврентьев, Е. В. Иванова, В. И. Николаев, “Пластины кристаллического GaN большой площади”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 5,страницы 84

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Пластины кристаллического GaN большой площади

М. Г. Мынбаева^abc, А. И. Печников^abc, А. А. Ситникова^abc, Д. А. Кириленко^abc, А. А. Лаврентьев^abc, Е. В. Иванова^abc, В. И. Николаев^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Газофазным осаждением на керамическую основу с покрытием из гексагонального нитрида бора получены пластины кристаллического нитрида галлия большой площади (до 100 cm$^2$). После шлифовки и полировки образцов, вырезанных из пластин, выполнена характеризация материала. Как установлено, материал пластин являлся полупроводником с электронным типом проводимости; оптические, теплофизические и механические свойства материала были близки к свойствам монокристаллического нитрида галлия, получаемого иными методами роста.

Поступила в редакцию: 27.10.2014