В. В. Лундин, Д. В. Давыдов, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, А. В. Сахаров, Е. В. Яковлев, Д. С. Базаревский, Р. А. Талалаев, А. Ф. Цацульников, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 5,страницы 9

Эта публикация цитируется в 9 статьях

МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса

В. В. Лундин^ab, Д. В. Давыдов^ab, Е. Е. Заварин^ab, М. Г. Попов^b, А. В. Сахаров^ab, Е. В. Яковлев^c, Д. С. Базаревский^c, Р. А. Талалаев^c, А. Ф. Цацульников^ab, М. Н. Мизеров^b, В. М. Устинов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c OOO "Софт-Импакт", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты по оптимизации технологии МОС-гидридной эпитаксии III–N светодиодных гетероструктур в установке Dragon-125 с целью ускорения технологического цикла. За счет достижения высокой скорости роста слоев GaN и оптимизации начальной фазы роста GaN полная длительность эпитаксиального процесса уменьшена с 4 h 45 min до 2 h 44 min. Выращенные по разработанной технологии светодиодные структуры не уступают по качеству выращенным по стандартной технологии на коммерчески доступной установке AIX2000HT.

Поступила в редакцию: 12.09.2014