В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 3,страницы 81

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры

В. М. Лукашин^a, А. Б. Пашковский^a, В. Г. Лапин^a, С. В. Щербаков^a, К. С. Журавлев^b, А. И. Торопов^b, А. А. Капралова^a

^a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных гетероструктурных полевых транзисторов, работающих при нулевом смещении на затворе. Транзисторы при длине Г-образного затвора около 0.3 $\mu$m с шириной 0.8 mm на частоте 10 GHz в импульсном режиме при напряжениях на затворе в диапазоне от +0.2 до -0.2 V демонстрируют удельную мощность более 1.6 W/mm при коэффициенте усиления более 11 dB и КПД по добавленной мощности более 40%.

Поступила в редакцию: 04.09.2014