В. В. Данилов, А. И. Хребтов, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, V. Dhaka, H. Lipsanen, “Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 3,страницы 33

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе

В. В. Данилов^ab, А. И. Хребтов^ac, А. С. Панфутова^a, Г. Э. Цырлин^cdef, А. Д. Буравлев^cdgf, V. Dhaka^h, H. Lipsanen^h

^a Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербург
^b Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^e Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия
^f Санкт-Петербургский государственный университет
^g Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^h Department of Micro- and Nanosciences, Micronova, Aalto University, P.O. Box 13500, FI-00076, Finland

Аннотация: Продемонстрирована возможность использования коллоидных растворов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов InP и GaAs в качестве оптических ограничителей лазерного излучения на длинах волн 532 и 1064 nm. Показано, что характеристики ограничения коллоидных растворов InP и GaAs могут быть существенно улучшены при использовании гибридных систем на основе нитевидных нанокристаллов и коллоидных квантовых точек.

Поступила в редакцию: 03.10.2014