Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы

Д. А. Богданов^ab, А. В. Бобыль^a, Е. И. Теруков^ac, В. Н. Вербицкий<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрена эффективность фотоэлектрических модулей (на основе $c$-Si кристаллического и $\alpha$-Si/$\mu c$-Si тандемного тонкопленочного) в зависимости от параметров атмосферы в условиях повышенной влажности и облачности, которая проявляет себя посредством соответствующих зависимостей спектрального распределения солнечного излучения. Экспериментально установлено, что в этих условиях мощность на ватт установленной мощности выше у модулей на основе $\alpha$-Si/$\mu c$-Si: 1) при низких значениях освещенности (до 150 W/m$^2$) за счет их более высокой чувствительности в коротковолновой части спектра, 2) при высоких значениях (более 400 W/m$^2$) – за счет меньшей величины температурной зависимости КПД.

Поступила в редакцию: 16.07.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:2, 113–116

Реферативные базы данных:

•