RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 3, страницы 8–16 (Mi pjtf7616)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Измерение толщины полупроводниковых подложек в условиях нестационарной температуры с использованием низкокогерентного тандемного интерферометра

П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Предложен оригинальный метод измерения малых изменений толщины полупроводниковых структур в условиях нестационарной температуры, использующий принцип низкокогерентной тандемной интерферометрии. Достигнуто разрешение $\pm$ 2$^\circ$C по температуре и $\pm$ 2 nm по толщине.

Поступила в редакцию: 28.07.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:2, 110–112

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026