Аннотация:
Предложен оригинальный метод измерения малых изменений толщины полупроводниковых структур в условиях нестационарной температуры, использующий принцип низкокогерентной тандемной интерферометрии. Достигнуто разрешение $\pm$ 2$^\circ$C по температуре и $\pm$ 2 nm по толщине.