Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полевая эмиссионная накачка наногетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe электронами низких энергий через поверхностный потенциальный барьер

С. А. Масалов, А. В. Коротченков, В. П. Евтихиев, С. В. Сорокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовалась планарная структура МДП с диэлектрическим барьером MgSe. Для инжекции горячих электронов в широкозонную наногетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe использовалась полевая электронная эмиссия из металлического электрода. Определены средние величины параметров потенциального барьера на границе металл-диэлектрик. Экспериментально обнаружено, что площадь протекания эмиссионного тока существенно меньше площади металлического электрода. Это может быть связано с эффектом “шнурования” тока, протекающего через неоднородный тонкий слой диэлектрика. Показано, что для улучшения стабильности характеристик структуры МДП необходимо создание высококачественного однородного потенциального барьера. Оцененная максимальная локальная плотность эмиссионного тока $I_{\mathrm{max}}\cong 10^3$ A/cm$^2$ является достаточной для получения условий генерации излучения в гетероструктуре. Поэтому предложенный метод накачки может быть использован для создания лазеров на основе широкозонных полупроводниковых гетероструктур без $p$–$n$-переходов.

Поступила в редакцию: 26.09.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:1, 50–53

Реферативные базы данных:

•