Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич, “Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 1,страницы 43

Эта публикация цитируется в 1 статье

Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении

Е. И. Гацкевич^a, Г. Д. Ивлев^b, В. Л. Малевич^cd

^a Белорусский национальный технический университет, Минск, Беларусь
^b Белорусский государственный университет, г. Минск
^c Институт физики НАН Беларуси, Минск, Беларусь
^d Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными экспериментальными данными, характеризующими продолжительность лазерно-индуцированных фазовых превращений и средний размер ячеек (образующихся вследствие эффекта концентрационного переохлаждения) в зависимости от плотности энергии в лазерном импульсе.

Поступила в редакцию: 01.09.2014