Аннотация:
Проверена возможность формирования нанопористых слоев Ge путем имплантации ионами Ag$^+$ тонких пленок аморфного $a$-Ge, полученных оригинальным методом ионно-стимулированного осаждения. Для этого проводилось распыление низкоэнергетическими ионами Xe$^+$ мишени $c$-Ge на подложку из кварцевого стекла, покрытого проводящим слоем Ni. Ионная имплантация выполнена при энергии $E$ = 30 keV, плотности тока в ионном пучке $J$ = 5 $\mu$A/cm$^2$ и дозах $D$ = 2.0 $\cdot$ 10$^{16}$ и 6.0 $\cdot$ 10$^{16}$ ion/cm$^2$. Для анализа полученного материала использованы методы электронной микроскопии и спектроскопии оптического отражения. Показано, что при малой дозе имплантации поверхность пленок остается гладкой, тогда как увеличение дозы приводит к формированию нанопористого слоя Ge, состоящего из хаотически расположенных в плоскости поверхности образца игольчатых образований.
Полный текст:
PDF файл (933 kB)