А. В. Андрианов, Е. И. Теруков, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, “Проявление эффекта экранирования электрического поля в процессе генерации терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si при фотовозбуждении ультракороткими лазерными импульсами”, Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 10,страницы 22

Проявление эффекта экранирования электрического поля в процессе генерации терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si при фотовозбуждении ультракороткими лазерными импульсами

А. В. Андрианов^a, Е. И. Теруков^abc, А. Н. Алешин^a, С. Н. Аболмасов^ac

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Приводятся данные о проявлении сильного влияния эффекта экранирования электрического поля в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si на свойства генерируемого терагерцевого (THz) излучения в таких структурах в условиях межзонного фотовозбуждения фемтосекундными лазерными импульсами. Экранирование поля в структуре неравновесными носителями заряда при высокой интенсивности накачки приводит к смене направления электрического поля генерируемой THz электромагнитной волны, что проявляется в смене полярности импульса детектируемого THz-сигнала. Смену полярности сигнала можно связать со сменой направления быстрой составляющей фототока в структуре, ответственной за THz-генерацию. Наблюдается смена полярности импульса THz-излучения как при изменении интенсивности фотовозбуждения, так и при изменении напряжения смещения.

Ключевые слова: терагерцевое электромагнитное излучение, гетероструктуры, фемтосекундное лазерное возбуждение, быстрый фототок.

Поступила в редакцию: 20.12.2024
Исправленный вариант: 31.01.2025
Принята в печать: 31.01.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.10.60327.20232