Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния

Е. В. Никитина^ab, Е. В. Пирогов^a, А. К. Кавеев^b, В. В. Федоров<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены сравнительные исследования влияния буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния. Исследованы структуры с GaP-буфером, выращенным с использованием метода “эпитаксии с повышенным темпом миграции” (MEE-GaP-буфер), и низкотемпературным GaP-буфером с плавно увеличивающейся температурой роста. Показано,что интенсивность фотолюминесценции для структур с MEE-GaP и оптимизированным GaP-буфером практически одинакова, однако релаксация напряжений происходит по-разному.

Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка.

Поступила в редакцию: 03.12.2024
Исправленный вариант: 11.01.2025
Принята в печать: 27.01.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.10.60323.20209

Реферативные базы данных:

•