А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP”, Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 9,страницы 18

Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP

А. С. Гудовских^ab, А. И. Баранов^a, А. В. Уваров^a, Е. А. Вячеславова^a, А. А. Максимова^ab, Д. А. Кириленко^c, Г. Е. Яковлев^b, В. И. Зубков^b

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования структурных и электронных свойств слоев InP и границы раздела GaP/InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке. При росте InP на Si-подложке с подслоем GaP (20 nm) наблюдается резкая граница раздела InP/GaP и сохранение свойств границы раздела GaP/Si. Измерения профилей концентрации носителей заряда с помощью электрохимического вольт-фарадного профилирования для InP/GaP/Si-гетероструктуры позволили провести оценку величины разрыва зон $\Delta E_C$ на границе GaP/InP, составляющей 0.55 $\pm$ 0.05 eV.

Ключевые слова: фосфид индия, фосфид галлия, интерфейс, атомно-слоевое осаждение.

Поступила в редакцию: 27.11.2024
Исправленный вариант: 04.01.2025
Принята в печать: 10.01.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.09.60226.20200