RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 6, страницы 15–18 (Mi pjtf7519)

Температурная стабильность тонкопленочных периодических структур IZO с градиентной модуляцией содержания кислорода по толщине

А. К. Ахмедовa, А. Ш. Асваровa, Э. К. Мурлиевa, А. Х. Абдуевb

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
b Государственный университет просвещения, Москва, Россия

Аннотация: Путем периодического изменения содержания кислорода в составе рабочего газа в процессе высокочастотного магнетронного распыления мишени на основе In$_2$O$_3$ с добавкой 10 wt.% ZnO (IZO) получены тонкопленочные прозрачные периодические структуры высокой проводимости с градиентной модуляцией содержания кислорода по толщине. Исследована температурная стабильность электрических характеристик полученных структур при отжигах в вакууме и открытой атмосфере. Установлено, что в результате обоих отжигов сопротивление структуры растет. Показано, что при атмосферном отжиге рост сопротивления происходит преимущественно за счет снижения концентрации свободных электронов, обусловленного нейтрализацией вакансионных донорных центров атмосферным кислородом, а при вакуумном отжиге – за счет снижения их подвижности, обусловленного разрушением модулированной структуры пленки.

Ключевые слова: магнетронное распыление, оксид индия, оксид цинка, тонкопленочная периодическая структура, градиентная модуляция, электрическое сопротивление.

Поступила в редакцию: 10.08.2024
Исправленный вариант: 13.11.2024
Принята в печать: 13.11.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.06.59925.20085



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026