RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 4, страницы 50–53 (Mi pjtf7499)

Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности

В. П. Хвостиков, А. В. Малевская, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнены исследования и разработана технология изготовления фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 nm), получаемых методом двухстадийной диффузии Zn в подложку $n$-GaSb, с диаметром фоточувствительной области 30 и 80 $\mu$m. Проведены исследования по снижению оптических и омических потерь при преобразовании высокой плотности мощности лазерного излучения (до 1.6 kW/cm$^2$). Достигнута эффективность преобразования лазерного излучения более 38% при плотности фототока 200–550 A/cm$^2$.

Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, диффузия.

Поступила в редакцию: 08.10.2024
Исправленный вариант: 31.10.2024
Принята в печать: 31.10.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.04.59845.20142



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026