Письма в ЖТФ,
2025, том 51, выпуск 3,страницы 54–57(Mi pjtf7485)
Метастабильные состояния электронной подсистемы гетероструктур GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As с квантовыми ямами, применяемых для создания детекторов дальнего инфракрасного диапазона
Аннотация:
Обнаружена метастабильная перестройка транспортных свойств и фотоотклика в дальнем ИК-диапазоне для гетероструктуры GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As с легированными кремнием квантовыми ямами при их кратковременном освещении излучением ближнего ИК-диапазона. Показано, что данный эффект связан с кремниевыми DX-центрами, формирующимися в окрестности интерфейсов GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As
Полный текст:
PDF файл (307 kB)