Фазовое расслоение в твердых растворах AlGaAsSb/GaSb

Р. В. Левин, Т. Б. Попова, А. С. Власов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии получены слои твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$ на подложках GaSb. Исследовались три серии образцов с $x$ = 0.2, 0.27 и 0.45 и различным содержанием $y$, обеспечивающим как положительное, так и отрицательное согласование с подложкой. Анализ спектров рамановского рассеяния показал наличие эффектов фазового расслоения как по элементам V группы (Sb–As), так и по элементам III группы, обнаружена тенденция к преимущественному связыванию атомов As и Al.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, рамановское рассеяние, AlGaAsSb, фазовое расслоение.

DOI: 10.61011/PJTF.2025.03.59812.20103

Реферативные базы данных:

•