Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии

С. А. Блохин^a, А. П. Васильев^b, А. М. Надточий^c, Н. Д. Прасолов^a, В. Н. Неведомский^a, М. А. Бобров^a, А. А. Блохин^a, А. Г. Кузьменков^a, Н. А. Малеев^a, В. М. Устинов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Экспериментально исследовано влияние температуры подложки и потока адатомов In на структурные и оптические характеристики массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью. Повышение температуры подложки в условиях высокого потока адатомов In способствует усилению их поверхностной миграции и некоторому снижению плотности массива квантовых точек до уровня $\sim$ (1–2) $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$, однако при этом наблюдается существенный коротковолновый сдвиг спектра фотолюминесценции, несмотря на увеличение латеральных размеров точек. Уменьшение падающего потока адатомов In при оптимальных температурах подложки позволяет более эффективно уменьшить плотность точек (до уровня $\sim$ (1–2) $\cdot$ 10$^9$ cm$^{-2}$), а также сместить спектр фотолюминесценции точек в длинноволновую область (до $\sim$ 1200 nm при температуре измерений 10 K).

Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, поверхностная плотность.

Поступила в редакцию: 10.10.2022
Исправленный вариант: 01.11.2022
Принята в печать: 01.11.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.24.54024.19389

Реферативные базы данных:

•