RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 23, страницы 11–13 (Mi pjtf7452)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Локализация энергии лазерного излучения в оптико-терагерцевом преобразователе ультракоротких ИК-импульсов при помощи профилированных сапфировых волокон

Д. С. Пономаревa, Д. В. Лаврухинab, Н. В. Зенченкоc, И. А. Глинскийc, Р. А. Хабибуллинab, В. Н. Курловd, К. И. Зайцевe

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
b Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Москва, Россия
c МИРЭА — Российский технологический университет, Москва, Россия
d Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
e Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН", Москва, Россия

Аннотация: Предложен оригинальный подход к пространственной локализации фотовозбужденных носителей заряда в оптико-терагерцевом преобразователе – фотопроводящей антенне – с помощью фокусирующего элемента на основе профилированных сапфировых волокон. Путем численного моделирования показано, что при определенном соотношении между диаметром волокна и размером зазора антенны ($d/g\sim$ 22.5) возможно в $\sim$35 раз увеличить интенсивность излучения лазерной накачки вблизи электродов. В таком случае формируются субволновые каустики электрического поля электромагнитной волны, которые располагаются вблизи краев электродов антенны, что потенциально дает возможность увеличения эффективности оптико-терагерцевого преобразования.

Ключевые слова: терагерцевая частота, терагерцевые излучатели, полупроводники, фотопроводящая антенна, ИК-накачка.

Поступила в редакцию: 03.08.2022
Исправленный вариант: 21.09.2022
Принята в печать: 10.10.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.23.53944.19332



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026