Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. В. Копьев, В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, М. Е. Бойко, П. Н. Бутенко, М. П. Щеглов, “Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда”, Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 22,страницы 24

Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда

Д. А. Алмаев^a, А. В. Алмаев^ba, В. В. Копьев^a, В. И. Николаев^cd, А. И. Печников^c, С. И. Степанов^c, М. Е. Бойко^c, П. Н. Бутенко^ac, М. П. Щеглов^c

^a Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
^b ООО "Фокон", Калуга, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^d ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры $\alpha$-Ga$_2$O$_3$/$\alpha$-Cr$_2$O$_3$ со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры $\alpha$-Ga$_2$O$_3$/$\alpha$-Cr$_2$O$_3$ демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения.

Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 25.07.2022
Исправленный вариант: 28.09.2022
Принята в печать: 29.09.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53802.19322