Критерий селективного роста III–V и III–N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

В. Г. Дубровский^a, Е. Д. Лещенко<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена модель начальной стадии нуклеации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V, включая нитридные, при селективной эпитаксии на маскированных подложках с упорядоченными массивами отверстий. Получен критерий селективного роста, при котором нуклеация нитевидных нанокристаллов происходит только в отверстиях, а паразитный рост на поверхности маски отсутствует. Проведен анализ зон селективного роста в зависимости от температуры, потоков, радиуса отверстий и расстояния между ними.

Ключевые слова: III–V нитевидные нанокристаллы, селективная эпитаксия, маскированная подложка, нуклеация.

Поступила в редакцию: 26.08.2022
Исправленный вариант: 26.08.2022
Принята в печать: 25.09.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53798.19350

Реферативные базы данных:

•