Эта публикация цитируется в 1 статье

Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения

Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, В. П. Хвостиков, М. В. Нахимович, А. С. Власов, В. И. Васильев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Продемонстрирована возможность изготовления структур фотоэлектрического преобразователя за счет твердофазных реакций замещения атомов Sb в полупроводниковых пластинах GaSb атомами As или P с одновременной диффузией Zn.

Ключевые слова: твердофазные реакции замещения, фотоэлектрические преобразователи, широкозонное окно, $p$–$n$-переход, легирование.

Поступила в редакцию: 12.07.2022
Исправленный вариант: 12.07.2022
Принята в печать: 29.08.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.21.53702.19304

Реферативные базы данных:

•