Аннотация:
Предложена модель радиального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) полупроводниковых соединений групп III–V методом газофазной эпитаксии на маскированных подложках, позволяющая проводить расчеты радиуса ННК как функции его длины. Получены аналитические решения для радиуса ННК на различных стадиях роста. Проведено сравнение результатов модели с экспериментальными данными по кинетике роста ННК GaAs и показано их хорошее согласие.