Эта публикация цитируется в 2 статьях

Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах

М. С. Иванов, А. В. Рожков, П. Б. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнено численное моделирование переключения высоковольтного GaAs-диода в проводящее состояние в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными. Показано, что эффект длительного (до 100 ns) самоподдержания проводящего состояния диода после переключения обусловлен возникновением в электронно-дырочной плазме узких (порядка микрометра) ионизирующих доменов Ганна – так называемых коллапсирующих доменов. Ударная ионизация в коллапсирующих доменах и в краевых (катодном и анодном) доменах сильного электрического поля ($\sim$ 300 kV/cm) поддерживает высокую концентрацию неравновесных носителей ($\ge$ 10$^{17}$ сm$^{-3}$) в течение всей длительности импульса приложенного напряжения обратной полярности.

Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, lock-on эффект, эффект Ганна.

Поступила в редакцию: 28.07.2022
Исправленный вариант: 01.09.2022
Принята в печать: 01.09.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.20.53693.19326

Реферативные базы данных:

•