Эта публикация цитируется в 2 статьях

Получение толстых слоев $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ методом хлоридной эпитаксии

С. И. Степанов, А. И. Печников, М. П. Щеглов, А. В. Чикиряка, В. И. Николаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые методом хлоридной эпитаксии выращены толстые эпитаксиальные пленки орторомбического оксида галлия $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ высокого кристаллического качества толщиной более 20 $\mu$m. В качестве подложек использовались сапфировые пластины с предварительно осажденным слоем GaN. Исследованы свойства полученных слоев методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии. Полученные результаты рассматриваются как важный шаг для получения толстых слоев и квазиобъемных кристаллов $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ для практического применения в электронной и сенсорной технике.

Ключевые слова: оксид галлия, хлоридная эпитаксия, полиморф, рентгеновская дифракция.

Поступила в редакцию: 16.02.2022
Исправленный вариант: 16.02.2022
Принята в печать: 23.08.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.19.53594.19169

Реферативные базы данных:

•