Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP

М. Е. Компан, А. В. Горбатюк, В. Г. Малышкин, В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обнаружена множественная неустойчивость на вольт-амперной характеристике структуры палладий-поверхностно-окисленный фосфид индия. Эффект зафиксирован при регистрации зависимости дифференциальной проводимости и дифференциальной емкости от приложенного внешнего напряжения. Предложен механизм появления неустойчивостей.

Ключевые слова: палладий, вольт-амперная характеристика, неустойчивость, импедансометрия.

Поступила в редакцию: 30.05.2022
Исправленный вариант: 10.07.2022
Принята в печать: 11.07.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.17.53278.19266

Реферативные базы данных:

•