Эта публикация цитируется в 2 статьях

Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя

А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Экспериментально установлено, что высоковольтный GaAs-диод, переключенный в проводящее состояние в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя, сохраняет стационарное проводящее состояние с малым остаточным напряжением. Время протекания постоянного тока в обратносмещенной структуре определяется длительностью приложенного прямоугольного импульса (до 100 ns) и значительно превосходит время дрейфовой экстракции и рекомбинации неравновесных носителей. Обнаруженный эффект самоподдержания проводящего состояния сходен с “lock-on” эффектом в GaAs-переключателях с оптическим запуском и $S$-диодах с глубокими центрами. Эффект может быть объяснен ударной ионизацией в узких коллапсирующих доменах Ганна.

Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, “lock-on” эффект.

Поступила в редакцию: 03.06.2022
Исправленный вариант: 29.06.2022
Принята в печать: 30.06.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.16.53203.19271

Реферативные базы данных:

•