Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN

К. Ю. Шугуров^a, А. М. Можаров^b, Г. А. Сапунов^a, В. В. Федоров^a, Э. И. Моисеев^c, С. А. Блохин^d, А. Г. Кузьменков^d, И. С. Мухин<sup>ae

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изготовлена серия диодов Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN, демонстрирующих электронный тип проводимости. По данным малосигнального частотного анализа (параметр $S_{21}$) диодных структур при различных напряжениях смещения определены параметры соответствующей эквивалентной электрической схемы. Показано, что частота отсечки созданных диодов достигает 27.5 GHz.

Ключевые слова: GaN, нитевидные нанокристаллы, СВЧ, диод Шоттки.

Поступила в редакцию: 21.04.2022
Исправленный вариант: 16.06.2022
Принята в печать: 17.06.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.15.53127.19229

Реферативные базы данных:

•