Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора

Д. В. Гуляев, Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, А. К. Гутаковский, Е. А. Колосовский, К. С. Журавлев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследованы структурные и оптические характеристики гетероструктур с квантовыми ямами InGaAlAs/InAlAs, в которых четверной раствор получен посредством попеременного монослойного роста слоев InAlAs и InGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что полученные гетероструктуры перспективны для создания электроабсорбционных модуляторов на длину волны 1.55 $\mu$m c коэффициентом экстинкции более 20 dB при напряжении менее 4 V.

Ключевые слова: электроабсорбционный модулятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы, эффект Штарка.

Поступила в редакцию: 29.03.2022
Исправленный вариант: 05.05.2022
Принята в печать: 17.05.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.13.52743.19205

Реферативные базы данных:

•