Эта публикация цитируется в 1 статье

Барьер Шоттки в структурах Si–M твердотельных литий-ионных аккумуляторов

А. С. Рудый, А. А. Мироненко, В. В. Наумов, А. Б. Чурилов

Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия

Аннотация: Приведены результаты измерения зарядно-разрядных характеристик твердотельных тонкопленочных литий-ионных аккумуляторов с нанокомпозитным анодом на основе твердого раствора $a$-Si(Al). Зарядные характеристики аккумуляторов имеют особенность в виде ступени на пологой ветви кривой $U(t)$. Высказано и обосновано предположение, что появление ступени связано с постепенной компенсацией и сменой дырочной проводимости $a$-Si(Al) на электронную по мере роста концентрации лития. В результате омический контакт $a$-Si(Al)|Ti становится выпрямляющим, а электроны, участвующие в фарадеевском процессе, вынуждены преодолевать барьер Шоттки. Рост потенциала, необходимый для поддержания гальваностатического режима заряда, проявляется в виде ступени на зарядной кривой.

Ключевые слова: тонкопленочный твердотельный литий-ионный аккумулятор, аморфный кремний, твердый раствор, $sp^3$-гибридизация, литирование, барьер Шоттки.

Поступила в редакцию: 14.03.2022
Исправленный вариант: 19.04.2022
Принята в печать: 03.05.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.12.52676.19188

Реферативные базы данных:

•