Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе

Д. В. Лебедев^abc, В. А. Школдин^ad, А. М. Можаров^b, А. Е. Петухов^b, А. О. Голубок^c, А. В. Архипов^e, И. С. Мухин^ae, В. Г. Дубровский<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^d Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
^e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана методика синтеза наноструктур методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе (СТМ-литографии) в слоистых структурах Au/Si. Получена экспериментальная зависимость геометрических размеров создаваемых наноструктур от времени токовой СТМ-литографии. Предложена теоретическая модель роста наноструктур, объясняющая нелинейную зависимость радиуса получаемых наноструктур от времени с насыщением в области больших радиусов.

Ключевые слова: наноструктуры Au/Si, СТМ-литография, скорость роста, моделирование.

Поступила в редакцию: 15.04.2022
Исправленный вариант: 26.04.2022
Принята в печать: 29.04.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.12.52672.19224

Реферативные базы данных:

•