Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами

А. Б. Пашковский^a, С. А. Богданов^a, А. К. Бакаров^b, К. С. Журавлев^b, В. Г. Лапин^a, В. М. Лукашин^a, С. Н. Карпов^a, Д. Ю. Протасов^b, И. А. Рогачёв^a, Е. В. Терёшкин<sup>a

a</sup> Государственное научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Московская обл., Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены первые результаты исследования дрейфовой скорости электронов в обращенных псевдоморфных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием и короткопериодными сверхрешетками AlAs/GaAs. Теоретически показано, что введение сверхрешеток значительно (до 1.5 раз) повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. В сверхрешетке между квантовой ямой и подложкой обнаружены локализованные состояния. Показано, что этот эффект ведет к дополнительному увеличению всплеска дрейфовой скорости электронов вплоть до теоретического предела для используемой модели – всплеска дрейфовой скорости в объемном материале квантовой ямы.

Ключевые слова: обращенная гетероструктура, цифровые барьеры, полевой транзистор, коэффициент усиления.

Поступила в редакцию: 04.03.2022
Исправленный вариант: 04.03.2022
Принята в печать: 29.04.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.12.52671.19184

Реферативные базы данных:

•