Структурные свойства твердых растворов GaInAsSbBi, выращенных на подложках GaSb

А. С. Пащенко^a, О. В. Девицкий^ab, Л. С. Лунин^a, М. Л. Лунина^a, О. С. Пащенко<sup>a

a</sup> Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
^b Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия

Аннотация: Синтезированы твердые растворы GaInAsSbBi с различным содержанием Bi на подложках $n$-GaSb с разориентацией 6$^\circ$ между плоскостями (100) и (111)A. Изучены структурные свойства и морфология тонких пленок GaInAsSbBi. Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции установлено, что пленки имеют поликристаллическую структуру. Обнаружено, что увеличение концентрации Bi в твердом растворе приводит к уменьшению среднего размера области когерентного рассеяния по отражению (111) с 20 до 5 nm. Показано, что в пленках с меньшим содержанием Bi толщина переходного аморфного слоя на гетерогранице слой-подложка уменьшается.

Ключевые слова: твердые растворы, GaInAsSbBi, GaSb, III–V.

Поступила в редакцию: 14.02.2022
Исправленный вариант: 27.03.2022
Принята в печать: 30.03.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.10.52552.19164

Реферативные базы данных:

•