Эта публикация цитируется в 2 статьях

Размерное квантование и зарядовая неустойчивость в коллоидных квантовых точках узкозонных полупроводников

С. А. Сергеев, М. В. Гавриков, Н. Д. Жуков

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, Саратов, Россия

Аннотация: По вольт-амперным характеристикам и спектрам поглощения коллоидных квантовых точек InSb, PbS, HgSe на случайных выборках определены и исследованы проявления зарядовой неустойчивости, выраженные в виде одиночных пиков тока и квазипериодических отклонений от монотонной зависимости вольт-амперных характеристик. Результаты объяснены размерным электронным квантованием в модели глубокой протяженной потенциальной ямы и зависимостью от соотношений размера квантования и длины волны де Бройля для электрона. Экспериментально подтверждено проявление блоховских осцилляций. Значения энергии спектральных пиков поглощения в основном коррелируют с пиками на вольт-амперных кривых.

Ключевые слова: квантовая точка, нанокристалл, размерное квантование, квантовый отбор, кулоновское ограничение, блоховские осцилляции.

Поступила в редакцию: 23.12.2021
Исправленный вариант: 01.03.2022
Принята в печать: 16.03.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.09.52448.19115

Реферативные базы данных:

•