Причины низкого значения работы выхода гексаборида лантана как эффективного электронного эмиттера

И. В. Тваури^a, И. В. Силаев^a, В. Б. Заалишвили^ab, О. Г. Ашхотов^a, З. Т. Созаев^a, Т. Т. Магкоев<sup>a

a</sup> Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л. Хетагурова, Владикавказ, Россия
^b Геофизический институт – филиал Владикавказского научного центра РАН, Владикавказ, Россия

Аннотация: Для установления механизма высокой эмиссионной эффективности гексаборида лантана как одного из наиболее широко используемых электронных эмиттеров проведено сравнительное исследование состояния атомов La и В в двойной пленочной системе La–B с одной стороны и в пленках La и В в отдельности с другой посредством изучения состояния адсорбированных на их поверхности молекул оксида углерода как тестовых частиц, чувствительных к деталям электронного и атомного строения адсорбента. Показано, что формирование дипольного слоя La–B на поверхности является основной причиной высокой эмиссионной эффективности гексаборида лантана. Субнанометровые пленочные системы La–B могут быть перспективны в качестве электронных эмиттеров высокой степени пространственной локальности.

Ключевые слова: тонкопленочные системы, лантан, бор, работа выхода, гексаборид лантана.

Поступила в редакцию: 04.06.2021
Исправленный вариант: 19.12.2021
Принята в печать: 20.12.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.06.52202.18903

Реферативные базы данных:

•