Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии

Д. А. Кириленко, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структурных особенностей интерфейса между полуполярным слоем нитрида галлия и буферным слоем нитрида алюминия, выращенных на комбинированной подложке SiC/Si(001) с разориентацией 7$^\circ$. Выявлено влияние морфологии интерфейса на структурное качество слоя нитрида галлия: фасетированная структура поверхности буферного слоя снижает плотность прорастающих дислокаций.

Ключевые слова: полуполярный GaN, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, подложка Si(001).

Поступила в редакцию: 21.06.2021
Исправленный вариант: 09.12.2021
Принята в печать: 18.12.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.05.52159.18932

Реферативные базы данных:

•