Аннотация:
Проведена оптимизация структуры GaInP-фотопреобразователя лазерного излучения, выращенной методом металлоорганической газофазной эпитаксии, а также конструкции его чипа для работы с лазерным излучением высокой мощности зелено-красного диапазона спектра. Показана работоспособность фотопреобразователя при плотности мощности падающего излучения до 40–50 W/cm$^2$. Наибольшие значения КПД для мощных лазерных линий с длиной волны 532, 600 и 633 nm составили при 13–16 W/cm$^2$ 44.3, 46.7 и 40.6% соответственно. Продемонстрирована эффективность более 40% при увеличении плотности мощности падающего излучения до 40–50 W/cm$^2$.
Полный текст:
PDF файл (168 kB)