Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

С. А. Кукушкин^ab, А. В. Осипов^ab, А. В. Редьков^ab, В. М. Стожаров^c, Е. В. Убыйвовк^a, Ш. Ш. Шарофидинов<sup>d

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследован рост слоев InGaN на гибридных подложках SiC/Si ориентаций (100), (110) и (111) методом хлорид-гидридной эпитаксии при температуре, заведомо превышающей температуру распада InN на атомы азота и металлический In (1000$^\circ$C). На подложках ориентаций (110) и (111) обнаружено формирование нитевидных нанокристаллов InGaN. Исследованы форма и механизмы роста нитевидных нанокристаллов. Показано, что нанокристаллы зарождаются на поверхности (111) только внутри V-дефектов, образующихся в местах выхода винтовых дислокаций на поверхность. На поверхности (110) нанокристаллы образуются только на пьедесталах, возникающих в процессе роста пленки. Дано объяснение различия механизмов роста нанокристаллов на подложках разной ориентации.

Ключевые слова: InGaN, гетероструктуры, SiC на Si, кремний, нитевидные нанокристаллы, наноструктуры, метод замещения атомов.

Поступила в редакцию: 20.10.2021
Исправленный вариант: 20.10.2021
Принята в печать: 15.11.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056

Реферативные базы данных:

•