Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As

Н. В. Сибирев^a, Ю. С. Бердников^abc, И. В. Штром^ad, Е. В. Убыйвовк^ac, Р. Р. Резник^aec, Г. Э. Цырлин<sup>acd

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^d Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^e Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена модель самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в ходе аксиального роста нитевидных нанокристаллов (In,Ga)As при синтезе методом молекулярно-пучковой эпитаксии без независимого бокового роста. В рамках предложенной модели рассчитано распределение In поперек оси нитевидного нанокристалла, согласующееся с экспериментальными наблюдениями.

Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы тройного состава, структуры ядро-оболочка, нитевидные нанокристаллы (In,Ga)As, радиальные гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 13.05.2021
Исправленный вариант: 21.10.2021
Принята в печать: 22.10.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.03.51980.18869

Реферативные базы данных:

•