Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения

А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, М. В. Павлова, М. Ф. Панов, В. В. Трушлякова, Д. Д. Фирсов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана методика частотного анализа инфракрасного спектра отражения для определения толщин и порядка расположения слоев в эпитаксиальной структуре карбида кремния. Выполнены расчеты для эпитаксиальной структуры $4H$–$\mathrm{SiC}$. Показана высокая чувствительность метода к оптическим границам, возникшим в результате последовательного увеличения уровня легирования в процессе роста слоя.

Ключевые слова: карбид кремния, эпитаксиальный слой, ИК-отражение, спектр.

Поступила в редакцию: 03.09.2021
Исправленный вариант: 22.09.2021
Принята в печать: 07.10.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.02.51919.19012

Реферативные базы данных:

•