Аннотация:
Рассмотрено взаимодействие экситонной моды с собственными фотонными модами в структуре на основе GaN с размерами в несколько микрометров. Продемонстрирована методика регистрации спектров излучения таких структур. Подобраны наиболее оптимальные форма и размеры резонатора для эффективного взаимодействия света и вещества. Получен и проанализирован теоретический спектр для подобранного резонатора.