Аннотация:
Получены массивы Si-вискеров двух типов (с упорядоченной “классической” и “треугольной” структурой), покрытых на остриях тонким слоем кубического политипа SiC (3C-SiC). Результаты рентгенофазового анализа, энергодисперсионной спектроскопии и рамановской спектроскопии свидетельствуют об образовании тонкого слоя указанного политипа SiC на верхушках Si-вискеров, а также о наличии свободного фуллереноподобного углерода. На образцах с треугольной структурой, где часть поступающего пара Si уходит на пленочный рост по механизму пар–кристалл, наблюдается более интенсивное образование оксида кремния (SiO$_2$), а также поликремниевых кислот, что связано с большей свободной площадью активной поверхности Si-подложки.
Полный текст:
PDF файл (507 kB)