Обращение волнового фронта на смешанных голографических решетках в оптически активном фоторефрактивном пьезокристалле

В. Н. Навныко

Мозырский государственный педагогический университет им. И. П. Шамякина, Мозырь, Беларусь

Аннотация: Рассмотрены закономерности обращения волнового фронта при встречном четырехволновом взаимодействии на смешанных голографических решетках в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$ срезов (001), (110) и (111). Исследованы зависимости коэффициента отражения, оптимизированного по ориентационному углу кристалла и азимуту линейной поляризации световых пучков, от толщины регистрирующей среды. Показано, что максимальная интенсивность обращенного светового пучка достигается для кристаллического образца среза (110). Определены сочетания значений толщины и ориентационного угла кристалла, а также азимута поляризации световых пучков, при которых достигается наибольшая эффективность дифракции.

Ключевые слова: обращение волнового фронта, коэффициент отражения, фоторефрактивный кристалл, световой пучок.

Поступила в редакцию: 31.07.2024
Исправленный вариант: 23.08.2024
Принята в печать: 08.09.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.02.59553.20078

Реферативные базы данных:

•