Характеристики джозефсоновских контактов, полученных методом фокусированного ионного пучка в структурах YBCO/CeO$_2$/Al$_2$O$_3$

Е. Е. Пестов^ab, М. Ю. Левичев^a, Д. В. Мастеров^a, С. А. Павлов^a, А. Е. Парафин^a, Ю. В. Петров<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На сапфировой подложке с подслоем эпитаксиального оксида церия методом фокусированного пучка ионов гелия изготовлены ВТСП джозефсоновские контакты. Изучены транспортные и СВЧ-свойства контактов, полученных при различных дозах облучения мостиков YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-d}$. При воздействии на исследуемые джозефсоновские переходы излучения с частотой около 79 GHz на их вольт-амперных характеристиках наблюдаются ступени Шапиро.

Ключевые слова: подложки с подслоем эпитаксиального оксида церия, пленки YBCO, джозефсоновские контакты, фокусированный ионный пучок.

Поступила в редакцию: 12.07.2024
Исправленный вариант: 15.08.2024
Принята в печать: 22.08.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.01.59519.20056

Реферативные базы данных:

•