Особенности доменной структуры многослойной пленки SnO$_2$/Ga$_2$O$_3$/GaN/Al$_2$O$_3$

М. Е. Бойко^a, М. Д. Шарков^a, А. М. Бойко^a, П. Н. Бутенко^a, А. В. Алмаев^b, В. И. Николаев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия

Аннотация: В пленке SnO$_2$/Ga$_2$O$_3$/GaN/Al$_2$O$_3$, выращенной методами газофазной эпитаксии, проведено исследование доменообразования с помощью рентгеновской дифрактометрии. Получены оценки размеров доменов в направлении нормали к пленке в слоях образца и подложке. Установлено снижение степени совершенства слоев по мере удаления от подложки. Сформулирована гипотеза об аморфности либо наноструктурированности верхнего слоя диоксида олова.

Ключевые слова: полупроводниковые гетероструктуры, многослойные пленки, рентгеновская дифрактометрия, доменная структура, совершенство кристаллов.

Поступила в редакцию: 21.06.2024
Исправленный вариант: 20.08.2024
Принята в печать: 21.08.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.01.59518.20018

Реферативные базы данных:

•