Аннотация:
Проведен расчет фотоэлектрических параметров гибких гибридных солнечных элементов на основе гетероструктуры PEDOT:PSS/Si. Получены расчетные значения вольт-амперных характеристик исследуемой структуры и определены оптимальные толщины подложки кремния. Исследовано влияние толщины подложки кремния на спектральную зависимость внешней квантовой эффективности структуры PEDOT:PSS/Si. Показано, что при толщинах подложки кристаллического кремния более 30 $\mu$m поглощение достаточно для формирования высокоэффективных солнечных элементов.