Аннотация:
Исследовано влияние затенения и локальной повышенной облученности планарного контура на основе $c$-Si солнечных элементов (СЭ) в составе гибридного фотоэлектрического модуля. Установлено, что величина и ориентация тени на поверхности $c$-Si СЭ приводят к изменению его КПД в пределах одного абсолютного процента, что объясняется изменением баланса резистивных потерь. Наличие областей высокой облученности на поверхности $c$-Si СЭ диаметром до 5 mm (соответствует размеру концентраторного A$^3$B$^5$ СЭ) не оказывает заметного влияния на выработку планарного контура, которая остается близкой к значениям, характерным для преобразования только диффузного излучения.