Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл

В. Б. Шмагин^a, А. В. Новиков^ab, А. Н. Яблонский^a, М. В. Степихова^a, Д. В. Юрасов^a, А. Н. Михайлов^b, Д. И. Тетельбаум^b, Е. Е. Родякина^cd, Е. Е. Морозова^a, Д. В. Шенгуров^a, С. А. Краев^a, П. А. Юнин^a, М. В. Шалеев^a, А. И. Белов<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
^c Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
^d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: С помощью локальной ионной имплантации на основе структур с самоформирующимися Ge(Si)-островками получены латеральные $p$–$i$–$n$-светодиоды. Использование предварительной аморфизации и твердофазной рекристаллизации имплантированных областей позволило снизить температуру активации введенной примеси до 600$^\circ$C, что существенно уменьшило негативное влияние постимплантационного отжига на сигнал люминесценции Ge(Si)-островков при комнатной температуре в области 1.3–1.55 $\mu$m. Сигнал электролюминесценции Ge(Si)-островков увеличен более чем на порядок за счет встраивания фотонных кристаллов в $i$-область диодов.

Ключевые слова: кремний, светодиоды, Ge(Si)-островки, фотонные кристаллы, имплантация.

Поступила в редакцию: 29.08.2023
Исправленный вариант: 29.08.2023
Принята в печать: 25.09.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.22.56592.19713

Реферативные базы данных:

•