Токовая неустойчивость в гетероструктурах на основе тонких слоев коллоидных квантовых точек Ag$_2$Se и фуллерена С$_{60}$

В. С. Гурченко^a, А. С. Мазинов^a, А. С. Тютюник^a, И. Г. Гревцева^b, М. С. Смирнов^b, С. В. Асланов^b, О. В. Овчинников<sup>b

a</sup> Крымский федеральный университет имени В. И. Вернадского, Симферополь, Россия
^b Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Аннотация: Представлено исследование электрофизических свойств тонкопленочных слоев коллоидных квантовых точек селенида серебра (Ag$_2$Se), а также гетероструктуры на основе фуллерена С$_{60}$ и Ag$_2$Se. Описаны синтез материалов, методика получения тонких пленок и гетероструктуры. Исследование проводящих свойств осуществлялось посредством анализа вольт-амперных характеристик. Показано, что тонкие пленки Ag$_2$Se в системе сандвич-структуры Al–Ag$_2$Se–ITO имеют особые вольт-амперные характеристики, в частности обладают токовой неустойчивостью с инверсией знака протекающего тока. Реализация гетероструктуры в системе Al–С$_{60}$–Ag$_2$Se–ITO позволяет стабилизировать и усилить данный эффект.

Ключевые слова: Ag$_2$Se, тонкопленочные структуры, вольт-амперные характеристики, токовая неустойчивость.

Поступила в редакцию: 18.07.2023
Исправленный вариант: 04.09.2023
Принята в печать: 19.09.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.21.56463.19687

Реферативные базы данных:

•