Фотоэдс на поверхности сильнолегированного $p^+$-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода

В. С. Хорошилов^ab, Д. М. Казанцев^ba, С. А. Рожков^ab, В. Л. Альперович<sup>ab

a</sup> Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Разработана новая методика измерения поверхностной фотоэдс, основанная на зависимости квантового выхода фотоэмиссии от величины изгиба зон. С помощью этой методики изучена эволюция фотоэдс в сильнолегированном $p^+$-GaAs (6$\cdot$10$^{18}$ cm$^{-3}$) при адсорбции цезия и кислорода. Обнаружены обратимые изменения величины фотоэдс, которые качественно отличаются от наблюдавшихся ранее на слаболегированных образцах и объясняются вариациями скорости поверхностной рекомбинации при формировании и распаде двумерных цезиевых кластеров.

Ключевые слова: фотоэмиссия, поверхностная фотоэдс, GaAs, фотолюминесценция, отрицательное электронное сродство.

Поступила в редакцию: 07.08.2023
Исправленный вариант: 15.09.2023
Принята в печать: 15.09.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.21.56460.19703

Реферативные базы данных:

•