Многоуровневые мемристорные структуры на основе $a$-Si с повышенной устойчивостью резистивного переключения и малыми токами потребления

Д. В. Ичёткин^ab, М. Е. Ширяев^a, Д. В. Новиков^a, Е. А. Лебедев^a, В. В. Рыльков<sup>bc

a</sup> Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
^c Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл., Россия

Аннотация: С использованием технологий магнетронного осаждения и термического напыления синтезированы мемристорные структуры Сr/Cu–Ag/$a$-Si/естественный оксид SiO$_x/p^{++}$-Si, обладающие повышенной устойчивостью к резистивным переключениям (более 10$^4$ циклов записи/стирания), что на несколько порядков выше, чем сообщалось ранее. При этом структуры демонстрируют многоуровневый характер переключений при токах потребления до 1 $\mu$A и обладают временем хранения резистивных состояний не менее 10 min. Обсуждается возможный механизм формирования стабильных резистивных переключений.

Ключевые слова: мемристор, $a$-Si, магнетронное осаждение, многоуровневый характер переключений, малые токи потребления.

Поступила в редакцию: 30.06.2023
Исправленный вариант: 05.09.2023
Принята в печать: 11.09.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56346.19672

Реферативные базы данных:

•